表面光電壓譜一體整合，空間更緊湊，操作更簡便，高精度，自動化，數(shù)字化，讓實驗數(shù)據(jù)更準確，高均勻可調(diào)節(jié)光纖光源，特別為光電極輻照設(shè)計，在半導體及現(xiàn)代許多高科技領(lǐng)域里是一種很重要的研究手段。

   半導體與金屬接觸處產(chǎn)生表面勢壘，當光照射在樣品與金屬的接觸界面上時，在光照面和非光照面之間建立起電位差，記錄這個電位差和入射光波長的關(guān)系得到表面光電壓譜。表面光電壓譜反應材料的光吸收性質(zhì)和電子的帶-帶躍遷，同時有收到光生載流子壽命的影響，多用于測量非平衡少數(shù)載流子的壽命，多采用的穩(wěn)態(tài)測量法，它利用穩(wěn)定的光照，使半導體中非平衡少子的分布達到穩(wěn)定，從而、快速地推算出勺子壽命。

   表面光電壓譜測量中一個關(guān)鍵的測量不確定因素是光源的穩(wěn)定性，提高了測量的度。表面光電壓譜測量系統(tǒng)主要有氙燈光源、自動掃描單色儀、光纖束、鎖相放大器、光學斬波器、暗室和數(shù)據(jù)采集軟件等部分組成，光催化過程的理解是利用太陽能的前提，其中對半導體光催化中光激發(fā)電子和空穴的有效分離和遷移的理解是提高光催化效率的關(guān)鍵。

   將氧化還原催化劑分別沉積于單晶粒子的相應晶面，光催化性能可以提高300%，該研究不僅揭示光催化材料中一種新的且有效的電荷分離驅(qū)動力，并且為不對稱的助催化組裝，以及空間可控的氧化還原反應提供了新的策略。

   表面光電壓譜在一定程度上提高了光電催化分解水的效率。然而，到目前為止，人們對光催化過程的認識還很有限，對光電催化劑的研究大多停留在催化劑的合成和篩選上，對于光催化過程中表面催化活性中心結(jié)構(gòu)和反應動力 學，光生電荷在界面?zhèn)鬏數(shù)倪^程和在光催化劑表面的分布認識較少，大大阻礙了從分子水平上設(shè)計、合成新型的光電催化劑。