深能級瞬態(tài)譜儀集成多種自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

   該儀器測量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應用的測試技術(shù)。隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能，在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、等溫瞬態(tài)光譜信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。與其他系統(tǒng)相比，深能級瞬態(tài)譜儀具有*的能量分辨率。

   半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。深能級瞬態(tài)譜儀根據(jù)半導體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。深能級瞬態(tài)譜儀通過對樣品的溫度掃描可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。

   隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。與其他系統(tǒng)相比，深能級瞬態(tài)譜儀具有*的能量分辨率。